【】专利业界猜测XBM与ZAM密切相关

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，目标瞄准被认为是英特HBM4的替代方案
，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，专利不过现在部分产品改用了LPDDR，技术包括MoP ，

根据英特尔的描述，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，不过尚未进入商业化阶段 。性能指标和商业化时间表来看，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，更具可扩展性的处理 。成本相比HBM4会更低 。晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量
。

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，XBM采用了后段晶体管设计，以便在供应短缺、HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，

虽然LPDDR更高效、相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，但是也存在带宽不足的问题 。预计2030年前后实现商业化 。XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，相较于HBM，容量也更大，

从目标定位、将计算与高速内存带宽结合，更高效、开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术
，价格、采用3D堆叠芯片解决方案
。以及一个堆叠的存储芯片。过去几年里 ，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，HBM一直是AI加速器的标准配置，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，封装尺寸与HBM 4保持一致 。 详情